博士

向山 裕次

テーマ : 『Cz法Si単結晶成長技術に資する数値解析に関する研究』

修士

日下 優

テーマ : 『第一原理計算による異種元素ドープシリコン酸化物の誘電率評価』

長井 拳

テーマ : 『ナイーブベイズ組み合わせ最適化アルゴリズムに基づく最短経路探索』

山中 一希

テーマ : 『Si結晶中における点欠陥クラスターのANNポテンシャルの開発』

学部

屏 千聖

テーマ : 『ダイヤモンド中の点欠陥の形成エネルギー及びドーパントとの結合エネルギーに関する第一原理計算』

安原 拓哉

テーマ : 『立方晶III-V族半導体のパワーデバイス性能の第一原理的評価』

修士

佐田 晃

テーマ : 『NドープCZ-Si単結晶成長中におけるボイド抑制メカニズムに関する第一原理解析』

佐藤 正義

テーマ : 『ANNポテンシャルを用いたSi(100)表面近傍の原子空孔クラスターの理論計算』

研究生

濱本 大輝

テーマ : 『ANNポテンシャルによるGe結晶中の原子空孔クラスターの形成エネルギー算出』

学部

狩野 佑太

テーマ : 『第一原理計算による炭素多形のパワーデバイス用材料探索』

小林 由弥

テーマ : 『Si結晶中の原子空孔クラスターの安定性に与える不純物の影響』

永井 智哉

テーマ : 『Si結晶中の自己格子間原子クラスターと不純物原子の相互作用に関する第一原理計算』

別宮 響

テーマ : 『第一原理計算と遺伝的アルゴリズムを利用したSi-Ge混晶の安定構造探索』

博士

永倉 大樹

テーマ : 『CMOSイメージセンサ内部の金属不純物の挙動に関する理論的研究』

修士

後口 拓登

テーマ : 『ANN原子間ポテンシャルによるSi単結晶中の大規模原子空孔クラスターに関する解析』

大櫃 万聖

テーマ : 『Si結晶中の拡張格子欠陥の安定性と構造に関するANNポテンシャル解析』

学部

日下 優

テーマ : 『第一原理計算によるSiO2結晶多形の誘電率および誘電正接の評価』

谷本 彪吾

テーマ : 『Si中のイオン注入欠陥による不純物ゲッタリングに関する第一原理計算』

長井 拳

テーマ : 『ナイーブベイズアルゴリズムの開発と巡回セールスマン問題への応用』

濱本 大輝

テーマ : 『ANNポテンシャルによるGe結晶中の原子空孔クラスターの形成エネルギー算出』

山中 一希

テーマ : 『Si結晶中の自己格子間原子に関するANNポテンシャル解析』

博士

須藤 治夫

テーマ : 『超高温急速熱処理がSiウェーハ中の点欠陥と格子欠陥の挙動に与える影響』

修士

岩城 浩也

テーマ : 『Si単結晶中の不純物原子の安定性に与える応力の影響』

楠木 琢也

テーマ : 『HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析』

谷口 元春

テーマ : 『CZ-Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える窒素の影響』

学部

垣内 秀太

テーマ : 『屈折率分布型レンズにおける子午光線の光学距離の級数展開』

小紫 江志朗

テーマ : 『GaN結晶中の点欠陥の物性に関する理論解析』

佐田 晃

テーマ : 『Si結晶中の格子間窒素，酸素，原子空孔からなる複合体の結合エネルギー計算』

佐藤 正義

テーマ : 『Si表面近傍を扱うANNポテンシャルの作成と計算精度の検証』

山口 蒼真

テーマ : 『級数展開された光学距離による高次屈折率係数の推定』

修士

河野 克之

テーマ : 『屈折率分布型レンズにおける子午光線の波面に関する研究』

阪本 永李

テーマ : 『C3H5クラスタイオン注入により形成される複合体のゲッタリング効果に関する第一原理計算』

土屋 大輝

テーマ : 『パワーデバイス用Si結晶中におけるライフタイム制御欠陥に与える炭素・酸素不純物の影響』

野々田 典敬

テーマ : 『Si (001) 表面近傍におけるFe，Cu，Ni原子の安定性に関する第一原理解析』

学部

大櫃 万聖

テーマ : 『格子間Siクラスターの構造探索用ANNポテンシャルの構築』

後口 拓登

テーマ : 『ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算』

浅野 敬恵

テーマ : 『パワーデバイス用Si結晶中のライフタイム制御工程で生じる水素関連欠陥に関する第一原理解析』

森 康治

テーマ : 『スポットダイアグラムによる屈折率分布型レンズの最適屈折率係数の探索』