Applied Physics Laboratory
応用物理学研究室
§ 研究室メンバー
2022年度
学術論文
・Tatsushi Saito, Yuto Ishikawa, Yusuke Noda, Tatsuya Yokoi, Yu Oshima, Atsutomo Nakamura, and Katsuyuki Matsunaga, "Ca-vacancy effect on the stability of substitutional divalent cations in calcium-deficient hydroxyapatite", Journal of the American Ceramic Society, 106 (2022) 1587-1596.
・Yuji Mukaiyama, Vladimir V. Artemyev, Koji Sueoka, "Numerical analysis of constitutional supercooling in heavily doped silicon crystals grown using the Czochralski method", Journal of Crystal Growth, 597 (2022) 126844.
・Yuji Mukaiyama, Koji Sueoka, "Numerical investigation of impact of crystal diameter fluctuations on intrinsic point defects distribution in Si crystal grown by Czochralski method", Journal of Crystal Growth, 595 (2022) 126814.
・Masanobu Nakayama, Koki Nakano, Maho Harada, Naoto Tanibata, Hayami Takeda, Yusuke Noda, Ryo Kobayashi, Masayuki Karasuyama, Ichiro Takeuchi, and Masashi Kotobuki, "Na superionic conductor-type LiZr2(PO4)3 as a promising solid electrolyte for use in all-solid-state Li metal batteries", Chemical Communications, 58 (2022) 9328-9340.
・Masato Ohbitsu, Tatsuya Yokoi, Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, Takuto Ushiro, Hiroki Nagakura, Koji Sueoka, Katsuyuki Matsunaga, "Atomic structures and stability of finite-size extended interstitial defects in silicon: Large-scale molecular simulations with a neural-network potential", Scripta Materialia, 218 (2022) 114650.
国際会議論文
・Yuji Mukaiyama, Yuki Fukui, Toshinori Taishi, Vladimir Artemiev, Yusuke Noda, and Koji Sueoka, "Numerical Modeling and Evaluation of Constitutional Supercooling During Silicon Single Crystal Growth by Cz Method", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-2.
・Akira Sada, Yusuke Noda, Koji Sueoka, Kaoru Kajiwara, and Masataka Hourai, "First-Principles Calculation on N-V Complex Formation in Si Crystal Growth", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-3.
・Eiji Kamiyama and Koji Sueoka, "Analysis of Metal Gettering in p–n Junctions and Effect of Gettering Sites Inside Si Wafers as Starting Materials for Electronic Device Processing", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-10.
・Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, and Koji Sueoka, "A Linear-Regression Machine-Learning Model for Predicting Total Energies of Silicon Crystal Structures", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-18.
・Masayoshi Sato, Tatsuya Yokoi, Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, and Koji Sueoka, "Development of ANN Potential for Si(100) Surface and Validation of Calculation Accuracy", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-19.
・Kazuki Yamanaka, Tatsuya Yokoi, Eiji Kamiyama, Yusuke Noda, and Koji Sueoka, "Artificial Neural Network Potential Analysis on Self-Interstitial Atoms in Si", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-20.
招待講演
・末岡浩治 "CZ-Si結晶中の点欠陥凝集とBMDゲッタリングに関する計算機シミュレーション ", 日本学術振興会第145委員会第177回研究会ウェビナー, December 22th, 2022.
・野田祐輔, "第一原理計算の基礎とマテリアルズ・インフォマティクスへの活用事例", サイエンス&テクノロジー ウェビナー, December 7th, 2022.
・野田祐輔, "第一原理計算・MIを活用したシリコン結晶中の大規模欠陥のシミュレーション", ダイキン工業 ウェビナー, October 5th, 2022.
・野田祐輔, "インフォマティクス支援ナノスケール材料計算の活用事例", 九州大学マス・フォア・インダストリ研究所 研究集会「材料科学における幾何と代数Ⅲ」, 九州大学, September 8th-10th, 2022.
・野田祐輔, "マテリアルズ・インフォマティクスの実践に向けた第一原理計算の基礎入門", シーエムシー・リサーチ ウェビナー, August 23rd, 2022.
研究発表
・Bi Rongrong, 西井 俊明, 野田 祐輔, 尾上 順, "アルミ酸化物系熱電変換材料の性能指標の理論的検討", 日本原子力学会中部支部 第54回研究発表会, 名古屋大学, December 15th-16th, 2022 [口頭].
・向山 裕次, 末岡 浩治, "数値解析によるCz法ヘビードープシリコン単結晶成長時の成長界面における点欠陥生成挙動に関する研究", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 22th, 2022 [口頭].
・野田 祐輔, 末岡 浩治, "第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによるGe−Sn合金の安定構造探索", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 21th, 2022 [口頭].
・神山 栄治, 野田 祐輔, 末岡 浩治, "Si結晶中のフランク型積層欠陥における酸素原子の安定性", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 20th, 2022 [口頭].
・佐田 晃, 野田 祐輔, 末岡 浩治, 梶原 薫, 宝来 正隆, "CZ-Si単結晶中のN-V複合体の安定性とそれにOが与える影響", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 20th, 2022 [口頭].
・佐田晃, 末岡浩治, 野田祐輔, "Si結晶成長中に形成されるN-O-V複合体に関する第一原理計算", 2022年度 応用物理・物理系 中国四国支部 合同学術講演会, July 30th, 2022 [口頭].
・佐藤正義, 野田祐輔, 末岡浩治, "Si(100)表面を対象とするANNポテンシャルの開発と計算精度の検証", 2022年度 応用物理・物理系 中国四国支部 合同学術講演会, July 30th, 2022 [口頭].
・山中一希, 末岡浩治, 野田祐輔, "Si単結晶中の自己格子間原子の相互作用に関するANNポテンシャル解析", 2022年度 応用物理・物理系 中国四国支部 合同学術講演会, July 30th, 2022 [口頭].
・向山裕次, 福井勇希, Kalaev Vladimir, Artemev Vladimir, 末岡浩治, "Cz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する数値解析とその評価", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].
・野田祐輔, 後口拓登, 横井達矢, 神山栄治, 大櫃万聖, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANN原子間ポテンシャルによるSi結晶中の大規模原子空孔クラスターの優先的成長モードの予測", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].
・野田祐輔, 大櫃万聖, 横井達矢, 神山栄治, 後口拓登, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANN原子間ポテンシャルによるSi結晶中の大規模有限サイズ拡張格子欠陥の形成エネルギー予測", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].
・神山栄治, 野田祐輔, 大櫃万聖, 後口拓登, 横井達矢, 末岡浩治, "Si結晶中の自己格子欠陥原子の凝集過程に関する考察", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].
・佐藤正義, 大櫃万聖, 後口拓登, 野田祐輔, 末岡浩治, "Si(100)表面を対象とするANNポテンシャルの開発と計算精度の検証", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].
・佐田晃, 野田祐輔, 末岡浩治, 梶原薫, 宝来正隆, "CZ-Si単結晶中のN-V複合体の安定性とそれにOが与える影響", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].
・山中一希, 末岡浩治, "Si単結晶中の大規模格子間Siクラスターに関するANNポテンシャル解析", 日本機械学会 中国四国学生会 第52回学生員卒業研究発表講演会, On-line, March 3rd, 2022.
・濱本大輝, 末岡浩治, "Ge用ANNポテンシャルの開発", 日本機械学会 中国四国学生会 第52回学生員卒業研究発表講演会, On-line, March 3rd, 2022
国際会議発表
・Yusuke Noda, Riichi Kuwahara, Ryoji Sahara, Koji Sueoka, and Kaoru Ohno, "First-Principles Phase-Field Simulations for Vacancy and Interstitial Aggregates in Silicon", 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya Congress Center, November 13th-17th, 2022 [ポスター].
・Yusuke Noda, Koji Sueoka, "Genetic-Algorithm-Combined Density-Functional-Theory Calculations of Ge1-xSnx Alloy (0.000 < x < 1.000)", The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), Nagoya University, September 5th-8th, 2022 [口頭].