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国内依頼講演（2003年以降）
1. 末岡浩治, “単結晶Si育成中の点欠陥挙動に与える熱応力の影響”, 日本物理学会第22回格子欠陥フォーラム（2012年9月22日）.
2. 末岡浩治, “単結晶Si育成中の点欠陥挙動に与える熱応力の影響”, 日本学術振興会第145委員会第130回研究会（2012年7月18日）.
3. 末岡浩治, “太陽電池用多結晶Siの開発に役立つ単結晶Siの知見”, 日本学術振興会第145委員会第120回研究会（2010年2月4日）.
4. 末岡浩治, “(100)/(110)直接接合Si基板の界面構造とゲッタリング”, 日本物理学会第19回格子欠陥フォーラム（2009年9月24日）.
5. 末岡浩治, “シリコン結晶中の点欠陥に関する理論計算”, 日本学術振興会第145委員会第111回研究会（2007年9月25日）.
6. 末岡浩治, “第一原理計算による点欠陥と不純物の相互作用解析”, 日本学術振興会第145委員会第103回研究会（2005年7月21日）.
7. 末岡浩治, “シリコン結晶における不純物ゲッタリングの計算モデル開発”, 応用物理学会関西支部セミナー（2004年2月）.
8. 末岡浩治、定光信介、小池康夫、宝来正隆, “低温プロセスにおける不純物ゲッタリング”, 第50回応用物理学関係連合講演会結晶工学分科会シンポジウム（2003年3月）.
セミナー講師など（2003年以降）
1. 末岡浩治，“第一原理計算による材料の機械的性質や界面の密着性予測”，情報機構主催（2013年2月20日）.
2. 末岡浩治, “CASTEPを活用した材料開発と材料評価の紹介‐半導体シリコン結晶，界面密着性など‐”, アクセルリスジャパン・ユーザーグループミーティング（2011年6月17日）.
3. 末岡浩治, “計算機シミュレーションによる材料開発支援：第一原理計算法による機械的性質や界面密着性などの予測”, 情報機構主催（2011年4月19日）.
4. 末岡浩治, “シリコン材料のA～Z”, 半導体ネットおかやま主催（2010年6月1日）
5. 末岡浩治, “実験技術者に向けた初めての第一原理計算～基礎と材料開発への適用のポイント～”, 情報機構主催（2009年7月13日）.
6. 末岡浩治, “シリコン材料のA～Z”, 半導体ネットおかやま主催（2009年6月18日）
7. 末岡浩治, “シリコン材料のA～Z”, 半導体ネットおかやま主催（2008年11月28日）
8. 末岡浩治, “第一原理計算の基礎と材料開発への適用のポイント～実験技術者への入門編～”, 情報機構主催（2008年10月23日）.
9. 末岡浩治ほか, “ 最新めっき技術～第一原理計算法によるめっき皮膜の密着性評価への新たな試み～”, 情報機構主催（2008年7月23日）.
10. 末岡浩治, “シリコン材料の強度特性・予測と欠陥制御技術” 技術情報協会主催（2006年10月25日）.
11. 末岡浩治, “ゲッタリング技術の基礎と応用～計算機シミュレーション技術を駆使したゲッタリング技術の最前線～”, リアライズ理工センター主催（2005年7月6日）.
12. 末岡浩治, “シリコン材料における強度特性と各種欠陥の制御技術の最先端” 技術情報協会主催（2005年6月14日）.
13. 末岡浩治ほか, “シリコン結晶の大口径化に伴う微小欠陥の解析と制御技術”, リアライズ理工センター主催（2005年1月24日）. |
