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福田 大晃 (M2) ： 日本機会学会 若手優秀公演フェロー賞
阪本 永李（M1） ： 第19回 I E E E 広島支部学生シンポジウム 功労賞
Daiki Shibata(M2)：Young Researcher Poster Award of the Forum on the Science and Technology
of Silicon Materials 2014 “Ab initio analysis on stability of metal atoms in β-Si3N4/Si structure”
松谷 亮 (M2)：応用物理学会中国四国支部第19回（2014年）学術講演会奨励賞
“太陽電池用Ge 結晶におけるIV族添加元素の安定性に関する第一原理解析(2)“
松谷 亮 (M2)：Best Poster Presentation Award of European Materials Research Society
2014, Spring Meeting “First principles analysis of atomic configurations of group IV elements
in Ge crystal for solar cells“
岩崎 剛士 (M2)：応用物理学会中国四国支部第17回（2012年）学術講演会奨励賞“Si中のドーパント-点欠陥複合体と金属原子の相互作用に関する第一原理計算“
大和 龍紀 (M1)：応用物理学会中国四国支部第17回（2012年）学術講演会奨励賞“半導体Si，Ge結晶中の格子間O原子の安定性に関する第一原理解析“
大和 龍紀 (M1)：学生シンポジウムHISS（2012年）優秀研究賞“半導体Si，Ge結晶中の格子間O原子の安定性に関する第一原理解析“
神山 栄治 (研究生)：Best Poster Presentation Award of European Materials Research Society 2012, Spring Meeting “Ab Initio Analysis of a Vacancy and a Self-Interstitial near Single Crystal Silicon Surfaces - Implications for Intrinsic Point Defect Incorporation during Crystal Growth from a Melt ?“
岩崎 剛士 (M2) ：JSST 2011 Student Presentation Award “First-principles study on As-vacancy complexes in Si crystal”
小林 駿介 (B4)：中国四国学生会第42回学生員卒業研究発表講演会(2012年)優秀発表賞“Si，Ge結晶中の格子間H原子の安定性に関する第一原理解析”
末岡 浩治 ：第24回計算力学講演会(2011年)優秀講演表彰”太陽電池向けSi量子ドットのバンドギャップに関する第一原理解析”"
中西 亮太 (D3)：仁科賞“第一原理計算による金属めっきの密着性と金属窒化物の表面物性に関する研究”
信江 年哉 (M1)：電気学会中国支部奨励賞“グラファイト表面における金属原子の安定性に関する第一原理計算"
Hiroaki Kariyazaki (D2)：Young Scientist Award of European Materials Research Society 2010,
Spring Meeting“First-Principles calculation on Screw Defects at Si(110)/(100)
interface”
（http://www.emrs-strasbourg.com/index.php）
Hiroaki Kariyazaki (D2)：Young Researcher Poster Award of the Forum on the Science and Technology
of Silicon Materials 2010 “Molecular simulation on interfacial structure
of direct silicon bonded (110)/(100) substrates”
（http://www.cse.oka-pu.ac.jp/siforum2010/index.html）
難波 貴正(M1):応用物理学会中国四国支部第15回（2010年）学術講演会奨励賞 “SiO2結晶中の不純物原子の拡散機構に関する第一原理解析"
（http://annex.jsap.or.jp/chushi/）
仮屋崎 弘昭 (D1)：応用物理学会中国四国支部第14回（2009年）学術講演会奨励賞“第一原理計算によるSi(110)/(100)接合界面のゲッタリング評価”
（http://annex.jsap.or.jp/chushi/）
長澤 崇裕 (M2 機械情報システム工学専攻)：第26回（2009年春季）応用物理学会講演奨励賞“Si（110）表面1ML酸化膜形成過程に関する第一原理解析”
（http://www.jsap.or.jp/activities/award/lecture/dai26kai.html）
仮屋崎 弘昭 (M2)：仁科賞“次世代半導体基板の開発に関する基礎研究”
（http://okayama-mdp-news.cocolog-nifty.com/blog/2009/03/post-a708.html）
長澤 崇裕 (M1 機械情報システム工学専攻)：応用物理学会中国四国支部第13回（2008年）学術講演会奨励賞“Si(110)表面酸化初期過程に関する第一原理解析”
（http://annex.jsap.or.jp/chushi/）
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