1. 末岡浩治ほか，“Si 結晶中のVH4 欠陥形成に与えるC ドープの効果（第一原理計算）”，2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会（2014年9月20日）.
2. 中村浩三ほか，“シリコン中の空孔濃度に及ぼす不純物効果の検討”，2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会（2014年9月20日）.
3. 神山栄治ほか，“Si 中の複空孔形成における空孔拡散の原子描像”，2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会（2014年9月20日）.
4. 松谷亮ほか，“太陽電池用Ge 結晶におけるIV 族添加元素の安定性に関する第一原理解析 (2)”，2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会（2014年9月19日）.
5. 須和亮ほか，“太陽電池用Ⅳ族混晶半導体のエネルギーバンド構造に関する基礎検討(2)”，2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会（2014年9月19日）.
6. 柴田大生ほか，“Si 酸化膜とSi 窒化膜中における金属原子の安定性に関する第一原理解析”，2014年秋季第75回応用物理学会学術講演会（2014年9月19日）.
7. 須和亮ほか，“IV族多元系混晶における物性予測の試み”半導体ネットおかやま平成26年度年度第1回例会（2014年8月21日）．
8. 白澤渉ほか，“第一原理計算によるSi結晶中のゲッタリングサイトの探索”，応用物理学会中国四国支部2014年度支部学術講演会（2014年7月26日）.
9. 松谷亮ほか，“太陽電池用Ge結晶におけるIV族添加元素の安定性に関する第一原理解析 (2)”，応用物理学会中国四国支部2014年度支部学術講演会（2014年7月26日）.
10. 柴田大生ほか，“Si酸化膜とSi窒化膜中における金属原子の安定性に関する第一原理解析”，応用物理学会中国四国支部2014年度支部学術講演会（2014年7月26日）.
11. 柴田大生ほか，“β-Si3N4/Si界面構造のモデル化と金属原子の安定性に関する第一原理解析”，2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月19日）.
12. 小林駿介ほか，“Si窒化膜表面近傍における不純物金属原子の安定性に関する第一原理解析”，2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月19日）.
13. 松谷亮ほか，“太陽電池用Ge結晶におけるIV族添加元素の安定性に関する第一原理解析”，2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月18日）.
14. 須和亮ほか，“太陽電池用Ⅳ族混晶半導体のエネルギーバンド構造に関する基礎検討”，2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月19日）.
15. 末岡浩治ほか，“固液界面近傍の熱応力が育成中Si 単結晶の臨界v/G 値に与える影響”, 2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月19日）.
16. 神山栄治ほか，“無欠陥条件Si 結晶成長中の熱応力起因によるボイド形成”, 2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月19日）.
17. 神山栄治ほか，“無欠陥条件Si 結晶成長中の熱応力起因ボイド形成と450 mm ウェーハ検査”, 2014年春季第61回応用物理学関係連合講演会（2014年3月19日）.
18.末岡浩治ほか，“育成中Si 単結晶の点欠陥濃度に与える添加物の影響”，第26回計算力学講演会（2013年11月2日）.
19.大和龍紀ほか，“Ge 結晶中のドーパントと不純物金属原子の相互作用に関する第一原理解析”，第26回計算力学講演会（2013年11月2日）.
20.須和亮ほか，“太陽電池用Ⅳ族多元系混晶のバンド構造に関する第一原理解析”， 第26回計算力学講演会（2013年11月2日）.
21.松谷亮ほか，“太陽電池用IV 族混晶半導体の結晶構造に関する第一原理解析”， 第26回計算力学講演会（2013年11月2日）.
22.柴田大生ほか，“β-Si3N4 中の金属原子の安定性に関する第一原理解析”， 第26回計算力学講演会（2013年11月2日）.
23.末岡浩治ほか，“格子間不純物が育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与える影響”，2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会（2013年9月17日）.
24.神山栄治ほか，“Si/Ge(100)面のDimer表面誘起電荷と欠陥との相互作用”，2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会（2013年9月17日）.
25.大和龍紀ほか，“Ge結晶中のドーパントと不純物金属原子の相互作用に関する第一原理解析(2)”，2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会（2013年9月17日）.
26.大和龍紀ほか，“Ge 結晶中のドーパントと不純物金属原子の相互作用に関する第一原理解析”, 応用物理学会中国四国支部2013年度支部学術講演会（2013年7月27日）.
27.大田周作ほか，“半導体Si，Ge 単結晶におけるボイド欠陥形成に関する分子動力学計算”, 応用物理学会中国四国支部2013年度支部学術講演会（2013年7月27日）.
28.須和亮ほか，“太陽電池用IV族混晶半導体のエネルギーバンド構造に関する基礎検討”，応用物理学会中国四国支部2013年度支部学術講演会（2013年7月27日）.
29.松谷亮ほか，“太陽電池用IV族混晶半導体の結晶構造に関する基礎検討”，応用物理学会中国四国支部2013年度支部学術講演会（2013年7月27日）.
30.柴田大生ほか，“β-Si3N4中の金属原子の安定性に関する第一原理解析”，応用物理学会中国四国支部2013年度支部学術講演会（2013年7月27日）.
31. 末岡浩治ほか，“育成中Si 単結晶の点欠陥濃度に与えるドーパントの影響(2)”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
32. 神山栄治ほか，“中性真性点欠陥形成エネルギーのSi/Ge 比較”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
33. 神山栄治ほか，“Dimer 構造を有するGe(100) 表面の表面誘起電荷と点欠陥の相互作用”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
34. 前田貴弘ほか，“イオン注入により形成される空孔型欠陥に関する第一原理解析”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
35. 前田貴弘ほか，“微小欠陥による金属不純物のゲッタリングに関する第一原理解析”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
36. 岩崎剛士ほか，“Si 結晶中のドーパント- 点欠陥複合体と金属原子の相互作用に関する第一原理計算”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
37. 小林駿介ほか，“β-Si3N4結晶中における不純物金属原子の拡散機構に関する第一原理解析”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月28日）.
38. 大和龍紀ほか，“Ge 結晶中のドーパントと不純物金属原子の相互作用に関する第一原理解析”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
39. 大田周作ほか，“Si，Ge 単結晶におけるボイド欠陥形成に関する分子動力学計算”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月28日）.
40. 細川貴弘ほか，“SiO2 及びGeO2 結晶とアモルファスの機械的性質に関する第一原理解析”, 2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会（2013年3月29日）.
41. 須和亮ほか，“太陽電池用IV族混晶系のバンドギャップに関する第一原理解析”，日本機械学会中国四国支部第43回学生員卒業研究発表講演会（2013年3月7日）.
42. 松谷亮ほか，“太陽電池用IV族混晶系の格子歪みに関する第一原理解析”，日本機械学会中国四国支部第43回学生員卒業研究発表講演会（2013年3月7日）.
43. 柴田大生ほか，“β-Si3N4結晶中の金属原子の安定性に関する第一原理解析”，日本機械学会中国四国支部第43回学生員卒業研究発表講演会（2013年3月7日）.
44. 末岡浩治，“Si(110)ウェーハにおける表面構造と酸化初期過程に関する第一原理解析”，Cat-on-cat新規表面反応研究センターシンポジウム2012（2012年12月8日）.
45. 小林駿介ほか，“Si，Ge 結晶中の格子間H 原子の安定性に関する第一原理解析”，第14回 IEEE Hiroshima Student Symposium（2012年11月17日）．
46. 大和龍紀ほか，“半導体 Si，Ge 中の格子間O 原子の安定性に関する第一原理解析”，第14回 IEEE Hiroshima Student
Symposium（2012年11月17日）．
47. 大田周作ほか，“半導体 Si，Ge 結晶中のボイド欠陥形成に関する分子動力学計算”，第14回 IEEE Hiroshima Student Symposium（2012年11月17日）．
48. 細川貴弘ほか，“SiO2 とGeO2 結晶の機械的性質に関する第一原理解析”，第14回 IEEE Hiroshima Student Symposium（2012年11月17日）．
49. 小林駿介ほか，“Si，Ge 結晶中の格子間H 原子の安定性に関する第一原理解析”，第25回計算力学講演会（2012年10月6日）．
50. 大和龍紀ほか，“半導体 Si，Ge 中の格子間O 原子の安定性に関する第一原理解析”，第25回計算力学講演会（2012年10月6日）．
51. 大田周作ほか，“半導体 Si，Ge 結晶中のボイド欠陥形成に関する分子動力学計算”，第25回計算力学講演会（2012年10月6日）．
52. 細川貴弘ほか，“SiO2 とGeO2 結晶の機械的性質に関する第一原理解析”，第25回計算力学講演会（2012年10月6日）．
53. 神山栄治ほか，“Si結晶育成中の固液界面近傍におけるSi原子挙動に関する考察”，2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月11日）.
54. 末岡浩治ほか，“単結晶Si育成中の点欠陥挙動に与える熱応力の影響”，2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月11日）.
55. 末岡浩治ほか，“育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与える添加物の影響”，2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月11日）.
56. 岩崎剛士ほか，“Si結晶中のドーパント-点欠陥複合体と金属原子の相互作用に関する第一原理計算”，2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月11日）.
57. 岩崎剛士ほか，“Si結晶中のドーパント‐点欠陥複合体と金属原子の相互作用に関する第一原理計算”，応用物理学会中国四国支部2012年度支部学術講演会（2012年7月28日）.
58. 小林駿介ほか，“Si，Ge結晶中の格子間H原子の安定性に関する第一原理解析”，応用物理学会中国四国支部2012年度支部学術講演会（2012年7月28日）.
59. 細川貴弘ほか，“SiO2及びGeO2結晶の機械的性質に関する第一原理解析”，応用物理学会中国四国支部2012年度支部学術講演会（2012年7月28日）.
60. 大和龍紀ほか，“半導体Si，Ge結晶中の格子間O原子の安定性に関する第一原理解析”，応用物理学会中国四国支部2012年度支部学術講演会（2012年7月28日）.
61. 大田周作ほか，“Si，Ge結晶中のボイド欠陥形成に関する分子動力学計算”，応用物理学会中国四国支部2012年度支部学術講演会（2012年7月28日）.
62. 末岡浩治ほか，“Si結晶中点欠陥の形成・活性化エンタルピーに与える圧力の効果”, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月17日）.
63. 岩崎剛士ほか，“Si結晶中の砒素‐原子空孔複合体に関する第一原理計算”, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月17日）.
64. 神山栄治ほか，“CZ-Si結晶育成界面を想定した，Si単結晶表面における原子空孔・格子間Siの挙動解析”, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月17日）.
65. 神山栄治ほか，“ウェハー表面検査における欠陥検出に関わるレーザー散乱挙動の解析”, 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月16日）.
66. 大田周作ほか，“Si,Ge結晶中のボイド欠陥形成に関する分子動力学計算”日本機械学会中国四国支部第42回学生員卒業研究発表講演会（2012年3月7日）.
67. 小林駿介ほか，“Si，Ge結晶中の格子間H原子の安定性に関する第一原理解析”日本機械学会中国四国支部第42回学生員卒業研究発表講演会（2012年3月7日）.
68. 大和龍紀ほか，“Si，Ge結晶中の格子間O原子の安定性に関する第一原理解析”日本機械学会中国四国支部第42回学生員卒業研究発表講演会（2012年3月7日）.
69. 細川貴弘ほか，“SiO2及びGeO2の機械的性質に関する第一原理解析”日本機械学会中国四国支部第42回学生員卒業研究発表講演会（2012年3月7日）.
70. 岩崎剛士ほか，“Si結晶中の砒素-原子空孔複合体に関する第一原理計算”,第13回HISS講演会（2011年11月12-13日）．
71. 清水貴俊ほか，“Si (100)表面近傍における3d遷移金属の拡散に関する第一原理解析”,第13回HISS講演会（2011年11月12-13日）．
72. 末岡浩治ほか，“太陽電池向けSi量子ドットのバンドギャップに関する第一原理解析”，第24回計算力学講演会（2011年10月8日）．
73. 前田貴弘ほか，“Si，Ge中の金属不純物の安定位置に関する第一原理計算”，第24回計算力学講演会（2011年10月8日）．
74. 仮屋崎弘昭ほか，“Si(110)/(100)界面に関する第一原理解析”，第24回計算力学講演会（2011年10月8日）．
75. 神山栄治ほか，“FDTD法によるレーザー光散乱解析-SOI ウェーハの表面検査-”，第24回計算力学講演会（2011年10月8日）．
76. 神山栄治ほか，“Si(100)表面近傍におけるVacancyの第一原理解析”，2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月30日）.
77. 岩崎剛士ほか，“Si結晶中の砒素-原子空孔複合体に関する第一原理計算”，応用物理学会中国四国支部2011年度支部学術講演会（2011年7月30日）.
78. 難波貴正ほか，“SiO2結晶中の不純物原子の拡散機構に関する第一原理解析”, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月25日）.
79. 清水貴俊ほか，“Si(100)表面近傍における3d遷移金属の拡散に関する第一原理解析”, 2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月25日）.
80. 甲元涼介，岩崎剛士ほか，“Ge単結晶薄膜の強度に関する分子シミュレーション” 日本機械学会中国四国支部第41回学生員卒業研究発表講演会（2011年3月4日）.
81. 長尾悠平ほか，“太陽電池向け量子ドットのバンドギャップに関する第一原理解析” 日本機械学会中国四国支部第41回学生員卒業研究発表講演会（2011年3月4日）.
82. 信江年哉ほか，“グラファイト表面における金属原子の安定性に関する第一原理計算”, 第12西表面技術フォーラム（2010年12月2日）.
83. 中山翔揮ほか, “屈折率分布型レンズを用いた単一モード光ファイバ用方向性結合器に関する研究”, 平成22年度電気・情報関連学会中国支部連合大会（2010年10月23日）.
84. 清水貴俊ほか，“Si(100)表面近傍における3d遷移金属の拡散に関する第一原理解析”, 平成22年度電気・情報関連学会中国支部連合大会（2010年10月23日）
85. 難波貴正ほか，“SiO2結晶中の不純物原子の拡散機構に関する第一原理解析”, 平成22年度電気・情報関連学会中国支部連合大会（2010年10月23日）.
86. 信江年哉ほか，“グラファイト表面における金属原子の安定性に関する第一原理計算”, 平成22年度電気・情報関連学会中国支部連合大会（2010年10月23日）
87. 安井孝宏ほか, “第一原理計算による金属窒化物硬質被膜の探索”, 平成22年度電気・情報関連学会中国支部連合大会（2010年10月23日）.
88. 仮屋崎弘昭ほか，“Si(110)/(100)接合界面に存在するらせん欠陥に関する第一原理解析(2)”, 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月16日）
89. 安井孝宏ほか, “第一原理計算による金属窒化物硬質被膜の探索”, 応用物理学会中国四国支部2010年度支部学術講演会（2010年7月31日）.
90. 信江年哉ほか，“グラファイト表面における金属原子の安定性に関する第一原理計算”, 応用物理学会中国四国支部2010年度支部学術講演会（2010年7月31日）.
91. 難波貴正ほか，“SiO2結晶中の不純物原子の拡散機構に関する第一原理解析”, 応用物理学会中国四国支部2010年度支部学術講演会（2010年7月31日）.
92. 清水貴俊ほか，“Si(100)表面近傍における金属原子の拡散についての第一原理解析”, 応用物理学会中国四国支部2010年度支部学術講演会（2010年7月31日）.
93. 長澤崇裕ほか，“Si(110)表面における酸化初期過程の第一原理解析”, 第29回日本シミュレーション学会大会（2010年6月19日）.
94. 仮屋崎弘昭ほか，“Si(110)/(100)接合界面に存在するらせん欠陥に関する第一原理解析”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月20日）.
95. 重松芳紀ほか，“Si結晶における汚染金属の拡散機構に関する第一原理解析”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月20日）.
96. 前田貴弘ほか，“Si,Ge中の金属不純物の安定位置に関する第一原理計算”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月20日）.
97. 長澤崇裕ほか，“第一原理計算によるO原子吸着Si(110)表面に関するSTMシミュレーション”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月18日）.
98. 前田貴弘ほか，“Ge/Si(100)界面付近の原子空孔の挙動に関する第一原理計算”, 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月18日）.
99. 安井孝宏ほか, “第一原理計算による金属窒化物硬質被膜の探索”, 日本機械学会中国四国支部第40回学生員卒業研究発表講演会（2010年3月5日）.
100. 信江年哉ほか，“第一原理計算によるグラファイトと金属の密着性に関する研究”, 日本機械学会中国四国支部第40回学生員卒業研究発表講演会（2010年3月5日）.
101. 難波貴正ほか，“第一原理計算によるSiO2結晶中のCu，Fe原子の拡散機構に関する研究”, 日本機械学会中国四国支部第40回学生員卒業研究発表講演会（2010年3月5日）.
102. 清水貴俊ほか，“Si（100）表面近傍における3d遷移金属の拡散に関する第一原理解析”, 日本機械学会中国四国支部第40回学生員卒業研究発表講演会（2010年3月5日）.
103. 仮屋崎弘昭ほか，“Si(110)/(100)接合界面のゲッタリング評価 (2)”, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月10日）.
104. 前田貴弘ほか，“Ge/Si(100)構造における3d遷移金属の安定性に関する第一原理解析”, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月9日）.
105. 長澤崇裕ほか，“第一原理計算によるSi(110)表面上O原子吸着サイトの探索”, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月9日）.
106. 長澤崇裕ほか，“「講演奨励賞受賞記念講演」Si(110)表面1ML酸化膜形成過程に関する第一原理解析”, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月9日）.
107. 重松芳紀ほか，“歪みSi結晶における第4周期金属の拡散機構に関する第一原理解析”, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会（2009年8月1日）.
108. 前田貴弘ほか，“Ge/Si(100)構造における3d遷移金属の安定性に関する第一原理解析”, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会（2009年8月1日）.
109. 仮屋崎弘昭ほか，“第一原理計算によるSi(110)/(100)接合界面のゲッタリング評価”, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会（2009年8月1日）.
110. 長澤崇裕ほか，“第一原理計算によるSi(110)表面上O原子吸着サイトの探索”, 応用物理学会中国四国支部2009年度支部学術講演会（2009年8月1日）.
111. 末岡浩治，“平面歪みを付加したSi，Ge単結晶中の点欠陥の安定性に関する第一原理解析”, 第28回日本シミュレーション学会大会（2009年6月12日）.
112. 仮屋崎弘昭ほか，“第一原理計算によるDSB接合界面のゲッタリング特性-金属不純物ゲッタリング効果-”, 第28回日本シミュレーション学会大会（2009年6月12日）.
113. 青木竜彦ほか，“Si(110)/(100)接合基板のゲッタリング能力”, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月30日）.
114. 仮屋崎弘昭ほか，“第一原理計算によるSi(110)/(100)接合界面におけるゲッタリング評価”, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月28日）.
115. 長澤崇裕ほか，“Si(110)表面1ML酸化膜形成過程に関する第一原理解析”, 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月28日）.
116. 中西亮太ほか，“第一原理計算によるCr系材料の表面エネルギー算出”, 表面技術協会第119回講演大会（2009年3月16日）.
117. 中西亮太ほか，“NaCl型窒化膜の表面エネルギーに関する第一原理計算”, 表面技術協会第119回講演大会（2009年3月16日）.
118. 仮屋崎弘昭ほか，“DSB基板の接合界面におけるゲッタリング”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第110回研究集会（2009年3月6日）.
119. 中西亮太ほか，“第一原理計算によるめっき皮膜/金属基板の界面密着性の予測技術開発に関する研究”, 第10西表面技術フォーラム（2008年12月3日）.
120. 中西亮太ほか，“第一原理解析およびナノインデンテーション法による Fe と Ni 単結晶の[100]ヤング率評価”, 日本金属学会2008年秋期講演大会（2008年9月25日）.
121. 青木竜彦ほか，“Si(110)/(100)接合基板の界面構造とゲッタリング能力”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月3日）.
122. 神山栄治ほか，“レーザー散乱を用いたSOIウェーハ表面検査”, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月3日）.
123. 仮屋崎弘昭ほか，“次世代LSI用Hybrid Crystal Orientation Substrates (HOT)基板に関する分子シミュレーション”,
応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会（2008年8月2日）.
124. 長澤崇裕ほか，“Si(100)表面酸化初期過程に関する第一原理解析”, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会（2008年8月2日）.
125. 末岡浩治ほか，“第一原理計算による半導体Si単結晶の高品位化への提言-不純物ゲッタリングと酸化物析出-”, 第27回日本シミュレーション学会大会（2008年6月19日）.
126. 神村憲ほか，“第一原理計算によるSi結晶中の3d遷移金属の拡散機構解明”, 2009年春季第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月29日）.
127. 中西亮太ほか，”第一原理解析およびナノインデンテーション法による Si, Ge 単結晶のヤング率評価“，日本金属学会2008年春期講演大会（2008年3月28日）.
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