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 Applied Physics Laboratory

研究成果

2022年

書籍

学術論文

・Masanobu Nakayama, Koki Nakano, Maho Harada, Naoto Tanibata, Hayami Takeda, Yusuke Noda, Ryo Kobayashi, Masayuki Karasuyama, Ichiro Takeuchi, and Masashi Kotobuki, "Na superionic conductor-type LiZr2(PO4)3 as a promising solid electrolyte for use in all-solid-state Li metal batteries", Chemical Communications, 58 (2022) 9328-9340.

・Masato Ohbitsu, Tatsuya Yokoi, Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, Takuto Ushiro, Hiroki Nagakura, Koji Sueoka, Katsuyuki Matsunaga, "Atomic structures and stability of finite-size extended interstitial defects in silicon: Large-scale molecular simulations with a neural-network potential", Scripta Materialia, 218 (2022) 114650.


国際会議論文

・Yuji Mukaiyama, Yuki Fukui, Toshinori Taishi, Vladimir Artemiev, Yusuke Noda, and Koji Sueoka, "Numerical Modeling and Evaluation of Constitutional Supercooling During Silicon Single Crystal Growth by Cz Method", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-2.

・Akira Sada, Yusuke Noda, Koji Sueoka, Kaoru Kajiwara, and Masataka Hourai, "First-Principles Calculation on N-V Complex Formation in Si Crystal Growth", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-3.

・Eiji Kamiyama and Koji Sueoka, "Analysis of Metal Gettering in p–n Junctions and Effect of Gettering Sites Inside Si Wafers as Starting Materials for Electronic Device Processing", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-10.

・Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, and Koji Sueoka, "A Linear-Regression Machine-Learning Model for Predicting Total Energies of Silicon Crystal Structures", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-18.

・Masayoshi Sato, Tatsuya Yokoi, Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, and Koji Sueoka, "Development of ANN Potential for Si(100) Surface and Validation of Calculation Accuracy", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-19.

・Kazuki Yamanaka, Tatsuya Yokoi, Eiji Kamiyama, Yusuke Noda, and Koji Sueoka, "Artificial Neural Network Potential Analysis on Self-Interstitial Atoms in Si", Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials, (2022) P-20.

招待講演

・野田祐輔, "第一原理計算・MIを活用したシリコン結晶中の大規模欠陥のシミュレーション", ダイキン工業 ウェビナー, October 5th, 2022.

・野田祐輔, "インフォマティクス支援ナノスケール材料計算の活用事例", 九州大学マス・フォア・インダストリ研究所 研究集会「材料科学における幾何と代数Ⅲ」, 九州大学, September 8th-10th, 2022.

・野田祐輔, "マテリアルズ・インフォマティクスの実践に向けた第一原理計算の基礎入門",
シーエムシー・リサーチ ウェビナー, August 23rd, 2022.

研究発表

・向山 裕次, 末岡 浩治, "数値解析によるCz法ヘビードープシリコン単結晶成長時の成長界面における点欠陥生成挙動に関する研究", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 22th, 2022 [口頭].

・野田 祐輔, 末岡 浩治, "第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによるGe−Sn合金の安定構造探索", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 21th, 2022 [口頭].

・神山 栄治, 野田 祐輔, 末岡 浩治, "Si結晶中のフランク型積層欠陥における酸素原子の安定性", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 20th, 2022 [口頭].

・佐田 晃, 野田 祐輔, 末岡 浩治, 梶原 薫, 宝来 正隆, "CZ-Si単結晶中のN-V複合体の安定性とそれにOが与える影響", 2022年 第83回 応用物理学会秋季学術講演会, September 20th, 2022 [口頭].

・佐田晃, 末岡浩治, 野田祐輔, "Si結晶成長中に形成されるN-O-V複合体に関する第一原理計算", 2022年度 応用物理・物理系 中国四国支部 合同学術講演会, July 30th, 2022 [口頭].

・佐藤正義, 野田祐輔, 末岡浩治, "Si(100)表面を対象とするANNポテンシャルの開発と計算精度の検証", 2022年度 応用物理・物理系 中国四国支部 合同学術講演会, July 30th, 2022 [口頭].

・山中一希, 末岡浩治, 野田祐輔, "Si単結晶中の自己格子間原子の相互作用に関するANNポテンシャル解析", 2022年度 応用物理・物理系 中国四国支部 合同学術講演会, July 30th, 2022 [口頭].

・向山裕次, 福井勇希, Kalaev Vladimir, Artemev Vladimir, 末岡浩治, "Cz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する数値解析とその評価", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].

・野田祐輔, 後口拓登, 横井達矢, 神山栄治, 大櫃万聖, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANN原子間ポテンシャルによるSi結晶中の大規模原子空孔クラスターの優先的成長モードの予測", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].

・野田祐輔, 大櫃万聖, 横井達矢, 神山栄治, 後口拓登, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANN原子間ポテンシャルによるSi結晶中の大規模有限サイズ拡張格子欠陥の形成エネルギー予測", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].

・神山栄治, 野田祐輔, 大櫃万聖, 後口拓登, 横井達矢, 末岡浩治, "Si結晶中の自己格子欠陥原子の凝集過程に関する考察", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].

・佐藤正義, 大櫃万聖, 後口拓登, 野田祐輔, 末岡浩治, "Si(100)表面を対象とするANNポテンシャルの開発と計算精度の検証", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].

・佐田晃, 野田祐輔, 末岡浩治, 梶原薫, 宝来正隆, "CZ-Si単結晶中のN-V複合体の安定性とそれにOが与える影響", 2022年第69回応用物理学会春季講演会, 青山学院大学, March 25th, 2022 [口頭].

・山中一希, 末岡浩治, "Si単結晶中の大規模格子間Siクラスターに関するANNポテンシャル解析", 日本機械学会 中国四国学生会 第52回学生員卒業研究発表講演会, On-line, March 3rd, 2022

・濱本大輝, 末岡浩治, "Ge用ANNポテンシャルの開発", 日本機械学会 中国四国学生会 第52回学生員卒業研究発表講演会, On-line, March 3rd, 2022

国際会議発表

・Yusuke Noda, Riichi Kuwahara, Ryoji Sahara, Koji Sueoka, and Kaoru Ohno, "First-Principles Phase-Field Simulations for Vacancy and Interstitial Aggregates in Silicon", 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33), Nagoya Congress Center, November 13th-17th, 2022 [ポスター].

・Yusuke Noda, Koji Sueoka, "Genetic-Algorithm-Combined Density-Functional-Theory Calculations of Ge1-xSnx Alloy (0.000 < x < 1.000)", The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX), Nagoya University, September 5th-8th, 2022 [口頭].

2021年

書籍

・野田祐輔, "第一原理計算の基礎/機械学習の基礎", 『AI・MI・計算科学を活用した蓄電池研究開発動向』, シーエムシー・リサーチ, June 28th, 2021 [分担執筆].

学術論文

・Takuto Ushiro, Tatsuya Yokoi, Yusuke Noda, Eiji Kamiyama, Masato Ohbitsu, Hiroki Nagakura, Koji Sueoka, Katsuyuki Matsunaga, "Preferential Growth Mode of Large-Sized Vacancy Clusters in Silicon: A Neural-Network Potential and First-Principles Study", The Journal of Physical Chemistry C, 125, 48 (2021) 26869-26882.

・H. Nagakura, K. Sueoka, E. Kamiyama, "Density Functional Theory Study on Anisotropic Arrangement of Interstitial Oxygen Atoms at (001) Interface of Oxide Precipitates in Si Crystal", ECS Journal of Solid State Science and Technology, 10 (2021) 123003.

・Eiji Kamiyama, Tatsuya Yokoi, Yusuke Noda, Koji Sueoka, "Differential clustering of self-interstitials during Si crystal growth", Journal of Crystal Growth, 574 (2021) 126313.

・H. Nagakura, K. Sueoka, N. Nonoda, "Density Functional Theory Study on Dependence of Stability of Fe, Cu, and Ni Atoms on Surface Orientation of Si Crystal", ECS Journal of Solid State Science and Technology, 10 (2021) 094002.

・Hiroya Iwashiro, Koji Sueoka, Kazuhisa Torigoe, Toshiaki Ono, "Theoretical study of stress impact on formation enthalpy and thermal equilibrium concentration of impurities and dopants in Si single crystal", Journal of Crystal Growth, 572 (2021) 126284.

・Motoharu Taniguchi, Koji Sueoka, Masataka Hourai, "Density functional theory study on concentration of intrinsic point defects in growing N-doped Czochralski Si crystal", Journal of Crystal Growth, 571 (2021) 126249.

・Takuya Kusunoki, Koji Sueoka, Wataru Sugimura, Masataka Hourai, "Theoretical study of hydrogen impact on concentration of intrinsic point defects during Czochralski Si crystal growth", Journal of Crystal Growth, 555 (2021) 125971.

国際会議論文

・Yusuke Noda, Bishnu Prasad Gautam, "A Proposal of Large Scale Network Route Optimization Technique Based on Genetic Algorithm", Proceedings of International Conference on Networking and Network Applications (NaNA), (2021) 265–271.

招待講演

・末岡浩治, "Si中の点欠陥に関する知見とSiパワーデバイスにおける点欠陥制御に関する研究紹介", 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第21回研究会, November 17th, 2021.

・末岡浩治, "CZ-Si 単結晶中の酸素析出", 第7回パワーデバイス用シリコンおよび関連半導体材料に関する研究会, June 24th, 2021.
研究発表

・永倉大樹, 末岡浩治, 神山栄治, "Si/SiO2界面におけるCu, Niの挙動に関する第一原理解析", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 10th-13th, 2021 [口頭].

・永倉大樹, 末岡浩治, 神山栄治, "Si/SiO2界面における酸素の挙動に関する第一原理解析", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 10th-13th, 2021 [口頭].

・神山栄治, 末岡浩治, "Si/SiO2界面への格子間酸素の一次元整列", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 10th-13th, 2021 [口頭].

・大櫃万聖, 横井達矢, 神山栄治, 後口拓登, 永倉大樹, 野田祐輔, 末岡浩治, "ANNポテンシャルによるSi結晶中の拡張格子欠陥の安定性解析", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 10th-13th, 2021 [口頭].

・後口拓登, 横井達矢, 野田祐輔, 神山栄治, 大櫃万聖, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算(3)", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 10th-13th, 2021 [口頭].

・向山裕次, アーティミフ・ウラジミール, カラエフ・ウラジミール, 末岡浩治, "数値解析によるCz法シリコン単結晶成長時の組成的過冷却に関する研究", 第82回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 10th-13th, 2021 [口頭].

・野田祐輔, 尾上順, "機械学習型線形回帰に基づく結晶構造の全エネルギー予測", 第33回DV-Xα研究会, On-line, August 28th-29th, 2021

・佐田晃, 野田祐輔, 末岡浩治, "Si結晶成長中に形成するN-V複合体に関する第一原理計算", 2021年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, On-line, July 31th, 2021 [口頭].

・佐藤正義, 野田祐輔, 末岡浩治, "Si表面近傍を扱うANNポテンシャルの開発", 2021年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, On-line, July 31th, 2021 [口頭].

・後口拓登, 野田祐輔, 大櫃万聖, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の安定な原子空孔クラスターの探索", 2021年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, On-line, July 31th, 2021 [口頭].

・大櫃万聖, 後口拓登, 末岡浩治, 野田祐輔, "ANNポテンシャルによるSi結晶中の拡張格子欠陥の理論計算", 2021年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, On-line, July 31th, 2021 [口頭].

・野田祐輔, 尾上順, "多変量回帰分析法を応用したシリコン結晶構造の全エネルギー予測", ナノ学会 第19回大会, On-line, May 20th-22nd, 2021 [口頭].

・神山栄治, 末岡浩治, "As-grown Si単結晶中の格子間Si系欠陥形態の考察",第68回応用物理学会春季学術講演会, On-line, March 16th-19th, 2021 [口頭].

・大櫃万聖, 横井達矢, 野田祐輔, 神山栄治, 後口拓登, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間SIクラスターの理論計算(2)",第68回応用物理学会春季学術講演会, On-line, March 16th-19th, 2021 [口頭].

・後口拓登, 横井達矢, 野田祐輔, 神山栄治, 大櫃万聖, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算(2)",第68回応用物理学会春季学術講演会, On-line, March 16th-19th, 2021 [口頭].

2020年

研究発表

・大櫃万聖, 横井達矢, 野田祐輔, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの計算", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 8th-11th, 2020 [口頭].

・後口拓登, 横井達矢, 野田祐輔,神山栄治,永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルによるSi結晶中の安定な原子空孔クラスターの形態検証", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 8th-11th, 2020 [口頭].

・岩城浩也, 末岡浩治, 鳥越和尚, 小野敏昭,"Si結晶中の金属不純物の安定性に与える平面応力の影響", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 8th-11th, 2020 [口頭].

・楠木琢也, 末岡浩治, 杉村渉, 宝来正隆,"HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析(3)", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 8th-11th, 2020 [口頭].

・谷口元春, 末岡浩治, 宝来正隆,"CZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に与える窒素の影響 (3)", 第81回応用物理学会秋季学術講演会, On-line, September 8th-11th, 2020 [口頭].

・大櫃万聖, 横井達矢, 野田祐輔, 神山栄治, 後口拓登, 永倉大樹, 末岡浩治, "格子間Siクラスターの構造探索用ANNポテンシャルの構築", 2020年度応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, On-line, August 2nd, 2020 [口頭].

・後口拓登, 横井達矢, 野田祐輔, 神山栄治,大櫃万聖, 永倉大樹, 末岡浩治, "ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算", 2020年度応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, On-line, August 2nd, 2020 [口頭].

・谷口元春, 末岡浩治, "NドープSi結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理計算", 2020年度応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, On-line, August 2nd, 2020 [口頭].

・岩城浩也, 末岡浩治, "平面応力がSi結晶中の金属原子の安定性に与える影響", 2020年度応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, On-line, August 2nd, 2020 [口頭].

・楠木琢也, 末岡浩治, "HドープCZ-Si結晶成長中の点欠陥挙動に関する第一原理解析", 2020年度応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, On-line, August 2nd, 2020 [口頭].

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応用物理学研究室

〒719-1197 岡山県総社市窪木111
岡山県立大学 情報工学部 情報通信工学科
情報工学部棟 2311室及び2401室